24aZD-7 μSR法で探る半導体中水素原子の浅い準位状態(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-08-18

著者

• 下村 浩一郎

  高エネ研

• 下村 浩一郎

  高エネルギー加速器研究機構

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