30aXC-1 膜厚によって超伝導ギャップを制御した超伝導単電子トランジスタにおけるパリティ効果(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
-
山本 剛
Necエレクトロニクス研究所
-
蔡 兆申
Necエレクトロニクス研究所:riken
-
蔡 兆申
NEC基礎・環境研究所
-
Astafiev O
理研フロンティア
-
Pashkin Yu.
理研フロンティア
-
山本 剛
NEC基礎・環境研究所
-
Pashkin Yu.A.
NEC基礎・環境研究所
-
Astafiev O.
NEC基礎・環境研究所
-
中村 泰信
NEC基礎・環境研究所
-
中村 泰信
Necエレクトロニクス研究所:riken
-
パシュキン ユーリ
理研フロンティア
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