27pYG-8 FIBエッチングを用いたNb単電子トランジスタの作製(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-03-03
著者
-
蔡 兆申
Necエレクトロニクス研究所:riken
-
渡部 道生
理研基幹研
-
蔡 兆申
NEC基礎・環境研究所
-
渡部 道生
理研フロンティア
-
中村 泰信
NEC基礎・環境研究所
-
中村 泰信
Necエレクトロニクス研究所:riken
-
松葉 一顕
東工大
-
松葉 一顕
東工大総理工
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