28aYB-1 軟Si線吸収分光法を用いた水素終端Si(111)基板上のスチレン共有結合性単分子膜の膜構造の評価(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
-
関 一彦
名大院理
-
大内 幸雄
名古屋大学大学院理学研究科物質理学専攻
-
鴻池 光一朗
阪大基礎工
-
金井 要
岡山大学異分野融合先端研究コア
-
金井 要
名古屋大学物質科学国際研究センター
-
鴻池 光一郎
阪大基礎工
-
齋藤 清範
名大院理
-
荒 正人
阪大院基礎工
-
多田 博一
阪大院基礎工
-
大内 幸雄
名大院理
-
金井 要
名大院理
-
大内 幸雄
名大・院理
-
荒 正人
阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
-
関 一彦
名古屋大学物質科学国際研究センター
-
多田 博一
阪大基礎工
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