21aXK-7 水素終端Si(111)表面上のステップがIn量子ドットの成長に与える影響(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2007-08-21
著者
-
中田 俊隆
立命館大学理工学部
-
中田 俊隆
立命大理工
-
本同 宏成
北大農
-
久保 貴資
立命大理工
-
湯平 泰吉
立命大理工
-
飛田 達成
立命大理工
-
居谷 有剛
立命大理工
-
野崎 拓郎
立命大理工
-
福澤 威士
立命大理工
-
福澤 威志
立命大理工
-
本同 宏成
立命大理
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