不完全空乏形シリコン放射線センサーの内部電場の研究
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概要
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Silicon sensors are widely used for detecting the radiations. In the sensors, p-type and n-type impurities are implanted to form a p-n junction. To make a depletion region, a reversed bias is applied to the p-njunction. Usually the bias voltage is larger than the voltage that is able to make a full depletion region. However some other types of silicon detectors are used with the voltage that is less than full depletion voltage. We study the electric field in a non full depleted silicon radiation sensor.
- 広島商船高等専門学校の論文
- 2008-03-24
著者
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