8. フルオロカーボンプラズマCVDを用いた低誘電率薄膜の作製(<小特集>材料プロセス用フルオロカーボンプラズマ-現状と展望-)

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概要

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• 集積回路の性能は,デバイスの微細化による高集積化,高周波数化によって進展してきた.このデバイスの微細化に伴う配線の高密度化によって,集積回路のパフォーマンスは,心臓部であるトランジスタのゲート遅延時間ではなく,配線の抵抗Rと線間容量Cによって決まるRC遅延時間によって律速されており,低誘電率膜(low-k膜)による配線間絶縁プロセスが必要となっている.本章では,フルオロカーボンプラズマを用いたlow-k膜の成膜における耐熱性向上や誘電率増加防止策を紹介するとともに,成膜を主眼とした場合のフルオロカーボンプラズマ中の成膜過程について気相診断結果を交えて説明する.

• 2007-04-25

著者

• 白藤 立

  京都大学 国際融合創造センター

• 白藤 立

  京都大学国際融合創造センター

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