配向制御された蒸着重合高分子薄膜の電気・光物性(発光・表示記録用有機材料及びデバイス・一般)

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概要

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• 真空蒸着法を応用した高分子薄膜形成法である蒸着重合法を用いて、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(PTCDI)骨格およびフレキシブルなアルキル鎖をもつ高分子薄膜の作製を行い、成膜条件(基板温度,熱処理)と膜構造(化学構造,配向)ならびに電気・光物性との相関について考察した。基板温度を制御することにより、分子軸が基板に対して垂直方向に配向した高分子膜を作製することができた。また、MOS FET型の素子を作製して評価したところ、得られた高分子薄膜はn型半導体特性を示すことが明らかになり、各モノマーの供給比により、その特性に差異が見られた。さらにπ共役ポリ尿素薄膜の作製も行い、その構造と電気・光物性について検討した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-02-26

著者

• 久保野 敦史

  静岡大学物質工学科

• 久保野 敦史

  静岡大学工学部物質工学科

• 菅 敬裕

  静岡大学大学院工学研究科物質工学専攻

• 菅 敬裕

  静岡大学工学部物質工学科

• 西澤 洋二

  静岡大学工学部物質工学科

• 鈴木 亮由

  静岡大学工学部物質工学科

• 久保野 敦史

  静岡大学工学部

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