NiFe膜による平面型ナノポイントコンタクトの作製と磁気抵抗効果測定(ハードディスクドライブ及び一般)

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概要

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• NiFe膜に形成した平面型形状のポイントコンタクト(PC)に,閉じ込められた磁壁において発生する磁気抵抗効果(MR)を測定する素子を作製した.素子は水平方向イオンミリングによりPC幅を縮小し,引き続き,真空を破ることなくMR測定が行われた.この実験方法によりナノスケールのPC作製と酸化耐性に優れるMR測定環境を達成し,異方性磁気抵抗効果の20倍以上のMR比である約18-12%のMR比が観察された.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-09-29

著者

• 大沢 裕一

  (株)東芝研究開発センター、材料・デバイス研究所

• 大沢 裕一

  (株)東芝 研究開発センター:東北大学 電気通信研究所

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