導電性高分子FETのポテンシャルプロファイル : 電界効果トランジスタのゲート電圧依存性(センサーデバイス・MEMS・一般)
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概要
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有機の電界効果型トランジスタ(FET)の特性向上をさせるために、ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(HTP3HT)の半導体層を用いFETチャネル及び電極界面での電位の挙動を調べるために、マイクロマニピュレータを用いて有機FETの電位分布の測定を行った。作成したFETの構造はSi/SiO_2基板を用いたトップコンタクト型及びボトムコンタクト型である。HTP3HTは有機溶媒に可溶なのでクロロホルムに溶解してスピンコート法により成膜を行った。電位の挙動としては、HTP3HTから金電極への正孔移動(接触抵抗)に対する障壁が見られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-01
著者
-
高嶋 授
Kyushu Inst. Technol. Kitakyushu Jpn
-
高嶋 授
九州工業大学先端エコフィッティング技術研究開発センター
-
金藤 敬一
九州工業大学大学院生命体工学研究科
-
金藤 敬一
九工大情報工
-
石崎 祐次
九州工業大学大学院生命体工学研究科
-
田中 幹政
九州工業大学大学院生命体工学研究科
-
金藤 敬一
九州工業大学
-
Kaneto K
Osaka Univ. Suita Jpn
-
高嶋 授
九州工業大学
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