空乏層をチャネルとする有機FETの電導特性 : チャネル内空乏層形成によるFET性能の変化(有機EL, TFT,及び一般)
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概要
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立体規則ポリ(3-ヘキシルチオフェン)をチャネルとするボトムコンタクト型FETについて、チャネル上部若しくは下部にAl、LiFを被覆することで、空乏層チャネルを有する有機FETを試作した。チャネル膜厚から、Al, LiFいずれの被覆でも20-40nm程度の厚みの空乏層形成がみとめられた。チャネル膜厚の減少に伴い、チャネルコンダクタンス、on/off比、閾電圧の低下が認められた。一方、移動度、相互コンダクタンスは、空乏層の有無によらず、いずれもチャネル膜厚の減少と共に低下した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-04-09
著者
-
高嶋 授
Kyushu Inst. Technol. Kitakyushu Jpn
-
高嶋 授
九州工業大学先端エコフィッティング技術研究開発センター
-
金藤 敬一
九州工業大学大学院生命体工学研究科
-
矢野 誠
九州工業大学大学院生命体工学研究科
-
金藤 敬一
九州工業大学
-
高嶋 授
九州工業大学
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