ポリアルキルチオフェン薄膜/Alショットキー界面による光キャリアー生成

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概要

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導電性高分子、ポリアルキルチオフェン(PAT)薄膜とアルミニウムとのショットキー接合を作成し、その電流-電圧特性、光電流励起スペクトルおよび光電流のアルキル鎖長、立体規則性、膜厚、光照射側依存性などの測定を行い、光キャリアーの生成機構いついて検討を行った。PATがp型半導体となる良好な整流性を示し、アルミニウム側からの光照射で吸収スペクトルと同じ光励起スペクトルが得られ、また、大きい光電流が観測された。光電流はアルキル鎖が長いほど小さく、立体規則性が悪くなると極端に減少することが判った。これらの結果から、ショットキー接合の空乏層内で光キャリアーが生成され、空乏層内の一つの高分子内で励起子の生成、電荷分離により、光キャリアーが生成されると推定した。また、head-tailに結合した立体規則性が高いポリヘキシルチオフェンでは、空乏層内のキャリアー生成と輸送効率が光変換効率を支配することが判った。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-05-25

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