導電性高分子/金属界面によるショットキーダイオードの電位分布 : ナノマニピュレータによる電位プロファイル
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概要
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導電性高分子、ポリヘキシルチオフェン(PHT)を用いてAl/PHT/Au構造のショットキーダイオードにおける電極間の電位分布を、数ナノメートルの分解能を有するナノマニピュレータによってマッピングを行い、Al/PHT界面で大きな抵抗となっている空乏層が存在することを直接観測した。この素子に光を照射したときの電位の変化も確認することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-13
著者
-
高嶋 授
Kyushu Inst. Technol. Kitakyushu Jpn
-
高嶋 授
九州工業大学先端エコフィッティング技術研究開発センター
-
金藤 敬一
九州工業大学大学院生命体工学研究科
-
中川 昌洋
九州工業大学大学院生命体工学研究科生体機能専攻
-
金藤 敬一
九州工業大学
-
高嶋 授
九州工業大学
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