製造誤差による特性変動を軽減するLTCC内蔵90度ハイブリッド(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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LTCC多層基板に内蔵する90度ハイブリッドにおいて, 積層時のバターン同士の位置精度, 基板厚精度等の製造誤差に起因する回路特性変動を低減できる構成を検討した.回路構成として, 積層時の位置ズレに対して特性変動を小さくできるタンデム型ハイブリッドを採用した.さらに, タンデム型ハイブリッドを構成する2つの結合線路の側面に, 基板内部に形成したVIAホールによる擬似導体壁を設けることにより, 基板厚精度に起因する特性変動を軽減できることを示した.上記ハイブリッドの試作評価結果からも, 製造誤差による特性変動軽減効果が確認できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-13
著者
-
大橋 英征
三菱電機株式会社
-
湯浅 健
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
湯浅 健
三菱電機株式会社
-
田原 志浩
三菱電機株式会社
-
田原 志浩
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
田原 志浩
三菱電機
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