SOIウェーハの非接触電気特性評価(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)

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概要

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本論文は非接触測定によるSOIウェーハの電気特性評価法を提案している。非接触測定では、従来のゲート電極の代わりに非接触電極を用いるため、ウェーハの電気特性評価を非接触非破壊で行うことができる。さらに、非接触電極をウェーハ上で走査させることにより、電気特性の面内分布を容易に評価することもできる。本論文では、走査型チャージポンピング法を用いてSOIウェーハの界面トラップのウェーハ面内分布の評価を行い、評価法の妥当性を実証した。またキャリアライフタイムの非接触評価の第一段階として、C-f法のSOIウェーハへの適用を試み、その妥当性についても検証した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-11-18

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