Indium Isoelectronic Doping Influence on Etch Pit Density in GaAs Layers Grown by Vapour Phase Epitaxy
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1986-11-20
著者
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Aguilar M
Tecnologias De Las Comunicaciones E.t.s.i. Telecomunicacion
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ABRIL Evaristo
Tecnologia Electronica y Bioingenieria, E.T.S.I. Telecomunicacion-U.P. Madrid, Ciudad Universitaria
-
Abril E
Tecnologia Electronica Y Bioingenieria E.t.s.i. Telecomunicacion-u.p. Madrid Ciudad Universitaria
-
CORONADO M.Lopez
Departamento de Instrumentacion Electronica, E.T.S. Ingenieros de Telecomunicacion-U.P.M., Ciudad Un
-
ABRIL E.J.
Departamento de Instrumentacion Electronica, E.T.S. Ingenieros de Telecomunicacion-U.P.M., Ciudad Un
-
AGUILAR M.
Departamento de Instrumentacion Electronica, E.T.S. Ingenieros de Telecomunicacion-U.P.M., Ciudad Un
-
Coronado M.lopez
Departamento De Instrumentacion Electronica E.t.s. Ingenieros De Telecomunicacion-u.p.m. Ciudad Univ
-
Aguilar M.
Departamento De Instrumentacion Electronica E.t.s. Ingenieros De Telecomunication-u.p.m. Ciudad Univ
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