Growth of Epitaxial Layers of In Doping GaAs by the Vapour-Phase Epitaxial Trichloride Method Using a Gallium-Indium Alloyed Source

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概要

著者

Aguilar M
Tecnologias De Las Comunicaciones E.t.s.i. Telecomunicacion
ABRIL Evaristo
Tecnologia Electronica y Bioingenieria, E.T.S.I. Telecomunicacion-U.P. Madrid, Ciudad Universitaria
Abril E
Tecnologia Electronica Y Bioingenieria E.t.s.i. Telecomunicacion-u.p. Madrid Ciudad Universitaria
CORONADO M.Lopez
Departamento de Instrumentacion Electronica, E.T.S. Ingenieros de Telecomunicacion-U.P.M., Ciudad Un
ABRIL E.J.
Departamento de Instrumentacion Electronica, E.T.S. Ingenieros de Telecomunicacion-U.P.M., Ciudad Un
AGUILAR M.
Departamento de Instrumentacion Electronica, E.T.S. Ingenieros de Telecomunicacion-U.P.M., Ciudad Un
Coronado M.lopez
Departamento De Instrumentacion Electronica E.t.s. Ingenieros De Telecomunicacion-u.p.m. Ciudad Univ
Aguilar M.
Departamento De Instrumentacion Electronica E.t.s. Ingenieros De Telecomunication-u.p.m. Ciudad Univ

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