Photoluminescence Due to Lattice-Mismatch Defects in High-Purity ZnSe Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy : Semiconductors and Semiconductor Devices
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1988-03-20
著者
-
大木 章
鹿児島大学大学院理工学研究科化学生命・化学工学専攻
-
Shibata N
Japan Fine Ceramics Center Nagoya Jpn
-
Ohki Akira
Department Of Applied Chemistry And Chemical Engineering Facutly Of Engineering Kagoshima University
-
Ohki Akira
Ntt Optoelectronics Laboratories Nippon Telegraph And Telephone Corporation
-
Shibata N
Ntt Optoelectronics Laboratories Nippon Telegraph And Telephone Corporation
-
KATSUI Akinori
NTT Opto-Ekectronics laboratories
-
Shibata N
Japan Fine Ceramics Center Nggoya Jpn
-
ZEMBUTSU Sakae
NTT Optoelectronics Laboratories, Nippon Telegraph and Telphone Corporation
-
SHIBATA Noriyuki
NTT Optoelectronics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation
-
Zembutsu S
Ntt Optoelectronics Lab. Ibaraki
-
Zembutsu Sakae
Ntt Optoelectronics Laboratories
-
Katsui A
Ntt Opto‐electronics Lab. Ibaraki‐ken
-
Katsui Akinori
Ntt Ibaraki Electrical Communication Laboratories Nippon Telegraph And Telephone Corporation
-
Ohki Akira
Ntt Opto Electric Labs
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