Observation of Capacitance Hunching at the Flat-Band-Voltage in Boron-Doped Diamond Metal/Insulator/Semiconductor Structure
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1996-08-15
著者
-
小林 孝嘉
東京大学理学系研究科
-
MAKI Tetsuro
Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering Science, Osaka University
-
KOBAYASHI Takeshi
Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering Science, Osaka University
-
Suzuki S
Nikon Corp. Tokyo Jpn
-
Suzuki Setsuo
Energy And Mechanical Research Laboratories Research And Development Center Toshiba Corporation
-
Suzuki S
Chiba Institute Of Technology
-
Otsuka Y
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Science Osaka University
-
Otsuka Yuzuru
Department Of Environmental Sciences Tottori University
-
Suzuki Suguru
Department Of Materials Science And Engineering Nagoya Institute Of Technology
-
Suzuki Susumu
Chiba Institute Of Technology
-
Kobayashi Takeshi
Department Of Biological Chemistry College Of Bioscience And Biotechnology Chubu University
-
Maki Tetsuro
Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University:core Research
-
Maki Tetsuro
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Science Osaka University
-
Maki Tetsuro
Graduate School Of Engineering Science Osaka University
-
Otsuka Yuzuru
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Science Osaka University
-
Otsuka Yuzuru
College Of Education Tottori University
-
SUZUKI Sei
Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering Science, Osaka University
-
Suzuki Sei
Department Of Basic Science University Of Tokyo
-
Suzuki S
Research Center For Interface Quantum Electronics And Graduate School Of Electronics And Information
-
Maki T
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Suzuki Setsu
School Of Science And Engineering Waseda University
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