有限要素法によるアノード短絡形GTOサイリスタの2次元数値解析
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概要
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Recent development in power electoronics has made power semiconductor devices larger and complicated, and device simulation is necessary to predict their characteristics in the design stage. By solving the fundamental equations of semiconductor devices using the finite element method, potential distribution and carrier consentrations can be obtained. In this study, we perform two-dimensional simulations of a gate turn off thyristor (GTO) and show results of switching characteristic and effects of anode short structure. These effects have the relation of trade off between turn on and turn off parameters.
- 日本シミュレーション学会の論文
- 1993-06-15
著者
-
正田 英介
東京大学工学系研究科
-
正田 英介
東京大学
-
菊池 和彦
愛媛大学工学部電気電子工学科
-
坂田 博
愛媛大学工学部電気電子工学科
-
杉本 健二
愛媛大学工学部電気電子工学科
-
磯村 滋宏
愛媛大学工学部電気電子工学科
-
杉本 健二
(株)四国総合研究所エネルギー研究部
-
坂田 博
愛媛大 工
-
磯村 滋宏
愛媛大学工学部
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