有限要素法によるスナバ回路を含むGTOのスイッチング特性解析
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概要
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Recent development in power electronics has made power semiconductor device larger and complicated, and device simulation is necessary to predict their characteristics. From the fundamental equations of semiconductor device, potential distribution and carrier concentrations can be solved using the finite element method. In this study, we make formulation for one dimensional analysis of a gate turn off thyristor (GTO) and simulate switching characteristics in order to know the effects of snubber circuit. In conclusion snubber condensor is necessary to suppress spike voltage, but increases the turn off loss of GTO.
- 社団法人 電気学会の論文
著者
-
正田 英介
東京大学
-
菊池 和彦
愛媛大学工学部電気電子工学科
-
杉本 健二
愛媛大学工学部電気電子工学科
-
坂田 博
愛媛大 工
-
磯村 滋宏
愛媛大学 工学部
-
宮本 宏彰
愛媛大
-
磯村 滋宏
愛媛大
-
杉本 健二
愛媛大
-
坂田 博
愛媛大
-
正田 英介
東京大
-
菊池 和彦
愛媛大
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