6. 電子ビーム励起プラズマ(EBEP)によるエッチング (<小特集>ドライエッチング用プラズマ)
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概要
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The electron beam excited plasma (EBEP) system is able to produce a high-density, large-diameter plasma at low gas pressure by introducing a high-current-electron beam into the reaction chamber. This system is superior in its precise control of the ion sheath energy and the electron energy distribution function (EEDF). Anisotropic etching of phosphorous-doped polycrystallin silicon (n^+-poly-Si) has been achieved at a high etch rate, high uniformity and high selectivity. It is expected that the EBEP system will be applied to many dry processes such as silicon dioxide etching, plasma chemical vapor deposition (PCVD) and so on.
- 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
- 1995-08-25
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