2.EUVリソグラフィと露光装置(<小特集>リソグラフィ用EUV(極端紫外)光源研究の現状と将来展望)
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概要
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The resolution limit of conventional optical lithography is thought to be around 70 nm. EUV lithography using EUV radiation with a wavelength region of 10 to 11 nm can break through this limitation and can achieve a resolution of below 50 nm. EUV employs reflection-type optics involving multilayer mirrors. Wafers are exposed in a vacuum and reflection-type masks are used. Chemically amplified photoresist materials used for KrF lithography can be applied to EUV lithography. The required EUV power from an EUV source for a throughput of over 100 wph is estimated to be about 80 to 120 W.
- 2003-03-25
著者
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岡崎 信次
技術研究組合 超先端電子技術開発機構
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村上 勝彦
(株)ニコン 技術開発本部
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岡崎 信次
技術研究組合 極端紫外線露光システム技術開発機構
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村上 勝彦
(株)ニコン 精機カンパニー
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村上 勝彦
(株)ニコン コアテクノロジーセンター
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