EUVリソグラフィー技術開発の現状(IT革命に向けたリソグラフィー技術論文<小特集>)
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概要
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EUVリソグラフィー(EUVL)は, 波長13nmの極端紫外光(EUV光)を用いるリソグラフィー技術である.その短波長性によって高解像度化が可能であり, 50nm世代以降の量産技術として期待されている.その開発には, 高出力EUV光源, 高精度多層膜非球面ミラーの製作と計測, 高精度露光光学系の製作, 低欠陥多層膜マスクの形成, 超薄膜レジストプロセス技術など多くの技術課題の克服が必要である.EUVLの開発は, 世界の各拠点でプロジェクト的に進められ, この数年間に大きく進歩した.その結果, EUVLは50nm以降のリソグラフィー技術の本命と見られている.本論文では, ASETで行われている技術開発を中心に, EUVリソグラフィー技術の現状を紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-01
著者
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岡崎 信次
技術研究組合 超先端電子技術開発機構
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西山 岩男
技術研究組合 超先端電子技術開発機構(aset) Euvプロセス技術研究室
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小川 太郎
技術研究組合 超先端電子技術開発機構(ASET)EUV 研究室
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岡崎 信次
技術研究組合 極端紫外線露光システム技術開発機構
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