大面積イオンドーピング法で作成したa-Si TFTのスイッチング特性
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概要
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We examined the switching characteristics of amorphous silicon thin-film transistors by a large area ion doping technique without mass-separation. The off-current of the ion-doped TFTs was reduced by increasing the acceleration voltages of the ion doping. Under illumination, the photo-current of the ion-doped TFTs was 1〜2-figures lower than that of the conventional P-CVD deposition-doped TFTs. We believe that the ion-doped TFTs can be well applied to the switching elements of liquid crystal displays.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1991-11-01
著者
-
粟根 克昶
シャープ(株)液晶研究所
-
石井 三男
シャープ
-
石井 三男
シャープ(株)液晶事業本部
-
森本 弘
シャープ株式会社液晶事業本部液晶研究所
-
粟根 克昶
シャープ
-
田仲 広久
シャープ株式会社液晶事業本部液晶研究所
-
三谷 康弘
シャープ
-
田仲 広久
シャープ(株)液晶事業本部液晶研究所
-
三谷 康弘
シャープ(株)液晶事業本部液晶研究所
-
森本 弘
シャープ(株)液晶事業本部液晶研究所
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