Poly-Si TFT LCDにおける絵素微小化
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概要
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Reduction of pixel size of poly-Si TFT active matrix LCDs is discussed. To have hitgh aperture ratio, the area of storage capacitor is reduced by making dielectric film of storage capacitor thinner than that of TFT. LDD structure TFT is used for pixel TFTs to reduce off current. Using these techniques, test panels with 37μmx 32μm pixel pitch are fabricated. Drivers are fully integrated simultaneously on the substrate. Aperture ratio of 32%, and contrast ratio more than 50 : 1 are obtained.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1991-11-27
著者
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上田 徹
シャープ(株)応用システム研究所
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石井 三男
シャープ
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石井 三男
シャープ(株)液晶事業本部
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上田 徹
シャープ
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高藤 裕
シャープ・技術本部
-
島田 尚幸
シャープ
-
古宮 秀雄
シャープ
-
島田 尚幸
シャープ(株)液晶事業術本部A1164プロジェクトチーム
-
坪田 耕次郎
シャープ(株)液晶事業術本部A1164プロジェクトチーム
-
高藤 裕
シャープ(株)液晶事業術本部A1164プロジェクトチーム
-
古宮 秀雄
シャープ(株)液晶事業術本部A1164プロジェクトチーム
-
坪田 耕次郎
シャープ・技術本部
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