Al陽極酸化による自己整合型オフセットゲート構造高性能ドライバモノリシック低温poly-Si TFT-LCD
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概要
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低温poly-Si TFT-LCDのためのAl陽極酸化法による自己整合型オフセットゲート形成技術を開発した。本技術により、画素TFTとドライバTFTにそれぞれ最適のオフセット長を精度よく形成することが可能となった。その結果、低オフ電流(1.0pA/μm;画素TFT)、高電界効果移動度(Nch 174cm^2/V・s、Pch 66cm^2/V・s;ドライバTFT)、高信頼性等の優れた特性を備えるTFTが実現できた。本技術を用いた3.7型ドライバモノリシックTFT-LCDを試作した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1996-02-20
著者
-
船田 文明
シャープ(株)オプトデバイス研究所
-
山根 康邦
シャープ(株)ディスプレイ・プロセス技術研究所
-
船田 文明
シャープ・液晶研
-
船田 文明
シャープ株式会社液晶研究
-
藤原 正弘
シャープ(株)液晶研究所
-
山元 良高
シャープ(株)液晶研究所
-
土本 修平
シャープ(株)液晶研究所
-
粟根 克昶
シャープ(株)液晶研究所
-
粟根 克昶
シャープ・液晶研
-
船田 文明
シャープ(株)
-
船田 文明
シャープ株式会社
-
船田 文明
シャープ(株)液晶研究所
-
藤原 正弘
シャープ(株) 液晶研究所
-
山根 康邦
シャープ(株) 情報技術開発センター
-
山根 康邦
シャープ(株) 液晶研究所
-
土本 修平
シャープ(株) 液晶研究所
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