プランビコン用前置増幅器の混成薄膜IC化
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概要
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筆者らは前に報告したように, パーシバル回路を併用し, 初段にFETを使用した高SN比の前置増幅器を開発したが, 信頼性の向上, 小形化などの目的で, 新たに2種のICを設計開発し, そのIC化をはかった。この結果, MTBFは従来の約150%, 容積は約50%, 組立工数は約55%にすることができ, 所期の目的をはたせた。IC化された前置増幅器の特性の概略は次のとおりである。SN比≥46dB(信号電流0.22μA, 管容量15pF, 帯域4.5MHz), 二乗正弦波特性;K<1%(2Tパルス), 温度特性;-10〜+50℃内で上記性能を満たし, かつ±10℃の温度変化に対して利得の変動1%以下。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1970-10-01
著者
-
坂井 徹男
NHK放送技術研究所
-
牛山 靖一
日本電気株式会社 放送映像事業部スタジオ開発部
-
坂井 徹男
NHK総合技術研究所 電子装置研究部
-
牛山 靖一
日本電気株式会社
-
坂井 徹男
Nhk総合技術研究所
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