CCDイメージセンサにおける基板不純物密度揺らぎの測定
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概要
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It is well known that saturation signal level of CCD image sensor with VOD (Vertical Overflow Drain) photo diode varies with substrate impurity density. However, analytical results between them are not obtained yet. In this paper, the saturation signal level is calculated using drift-diffusion model as a function of the photo diode structure and operation conditions. Using this method, impurity fluctuations at the peripheral of CZ and MCZ and epitaxial wafer were ±11%, ±16% and ±6%, respective1y and those at the center were ±7% and ±9% and ±6%, respectively. Distinctive features of impurity fluctuation pattern for these wafers were clarified. The minimum detectable impurity fluctuation reaches to ±2%.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1998-05-19
著者
-
木村 孝之
茨城大学
-
木村 孝之
茨城大学工学部
-
高塚 昇
茨城大学工学部システム工学科
-
白木 廣光
茨城大学工学部システム工学科
-
荒野 隆則
茨城大学
-
荒野 隆則
茨城大学工学部システム工学科
-
白木 廣光
茨城大学工学部
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