光電流の電圧への対数変換デバイスにおけるγ特性 : 短い題名:光電流対数変換(高機能イメージセンサ)
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概要
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最近はCCDイメージセンサもMOS型イメージセンサも受光部が微細化され,ダイナミックレンジが減少してきた。一方人間の視力は10桁にも及ぶ明暗を識別できるといわれている。そこで光電流を電圧に対数変換することによって,ダイナミックレンジを広げる研究が行われるようになった。しかし変換にはMOS-FETのサブ閾値領域のゲイト電圧-ドレイン電流特性が使用されてきたため、γ(高電流のが1桁変化したときのゲイト電圧の変化)は0.07〜O.O8V/decadeと小さかった。そこで本報告では,基板不純物密度を階段状に変化させたMOS-FETやさまざま構造の埋め込みチャネルトランジスタのゲイト電圧-ドレイン電流の関係を計算した。その結果,広い範囲にわたってγが変えられること,また光電流の大きさに応じてγが変えらることを見出した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2002-06-21
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