アナログ階調強誘電性液晶表示素子
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概要
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超微粒子含有系強誘電性液晶におけるしきい電圧の拡がりは、スメクテイック層傾斜角の分布により説明づけられた。またマイクロドメインの拡張は、超微粒子の存在によって抑制される。階調数を低減させる履歴現象は、配向膜の導電性を向上させることによって低減できた。スイッチング時における構造変化を、カルボニル基とビリミジン骨格の時間分解IRビークの波数シフトから検討した。分子軌道計算により、これらの波数シフトは、周囲の環境の誘電率の局所的な変化に起因すると示唆された。さらに、スイッチング時の配向状態は、SmC^*相であるにも関わらず、N^*相と類似であることが明らかになった。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1998-03-06
著者
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安田 章夫
ソニー(株)中央研究所
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松居 恵理子
ソニー・先端マテリアル研
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安田 章夫
ソニー・先端マテリアル研
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松居 恵理子
ソニー(株)中央研究所
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松澤 伸行
ソニー(株)中央研究所
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松澤 伸行
ソニー 中研
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松居 恵理子
Sony(株)中研
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