小型高画素CCD用アバランシェ素子構造の検討 : 情報入力,情報ディスプレイ,コンシューマエレクトロニクス
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概要
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A MOS Si-APD image sensor cell without avalanche multiplication during readout period was proposed and simulated for 5.2×5μm^2 photosite. From the simulation results, proposed MOS-APD cell shows three times larger sensitivity than the conventional photosite without any edge breakdown under 20V driving voltage.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1992-11-26
著者
-
山田 隆博
松下電器
-
山田 隆博
松下電器産業(株)中央研究所
-
菰淵 寛仁
松下電器産業(株)
-
菰淵 寛仁
松下電器産業(株) 中央研究所
-
山田 隆博
松下電器産業 先端技研
-
山田 隆博
松下電器産業株式会社 中央研究所 電子機器基礎研究所
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