アモルファスSi BIP-TFTを用いた12"カラーLCD
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概要
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A 240×960 12-in. diagonal LCD, addressed by the new structure BIP-TFTs. has been fabricated and tested. The BIP-TFT structure was designed with buried isolated pixel-electrode in divided-layer gate insulator to improve fabrication yield. An orderof magnitude reduction in yield loss due to pixel defects was realized by minimizingboth pixel bus line and gate/drain-bus line shorts without additional process complexity.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1989-06-15
著者
-
金子 節夫
Nec
-
中野 秀之
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
平井 良彦
NEC
-
平井 良彦
NECカラー液晶事業部
-
内田 宏之
日本電気株式会社機能エレクトロニクス研究所
-
西田 真一
Necカラー液晶事業部
-
谷 千束
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
金子 節夫
日本電気(株)機能エレクトロニクス研究所
-
平井 良彦
日本電気(株)・機能エレクトロニクス研究所
-
内田 宏之
日本電気(株)機能エレクトロニクス研究所
-
森山 浩明
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
西田 真一
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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