イオンドーピング自己整合型α-Si TFTによるAMLCD(<論文特集>ディスプレイJapan Display'92を中心として)
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概要
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a-Si TFTのゲートーソース容量結合(Cgs)によって生じる画素電圧シフトは, TFT-LCDを高精細化する場合, 大きな問題となる.この場合, 自己整合化によるCgsの低減が有効であることが知られている.ソース/ドレイン領域の形成にイオンドーピング技術を用いることによって, このイオンドープ自己整合型a-Si TFTのプロセス簡略化が実現できる.この自己整合型TFTの移動度は0.35cm^2/V・sec, 閾値電圧は2.3Vであった.ON/OFF比は暗状態で10^6以上, 20001xの光照射下でも10^5以上と良好な特性を示し, ゲートストレスに対しても安定であった.この自己整合型TFTを用いて9インチAMLCDパネルを開発し, 良好な画像表示性能を達成した.このことは, イオンドーピング技術がAMLCD作製プロセスとして充分有効であることを示す.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1993-05-20
著者
-
金子 節夫
Nec
-
金子 節夫
Nec 機能デバイス研究所
-
金子 節夫
Nec機能エレクトロニクス研究所
-
平野 直人
Nec
-
平野 直人
NEC機能エレクトロニクス研究所ディスプレイ・デバイス研究部
-
西田 真一
NEC機能エレクトロニクス研究所ディスプレイ・デバイス研究部
-
竹知 和重
NEC機能エレクトロニクス研究所
-
内田 宏之
NEC機能エレクトロニクス研究所
-
内田 宏之
日本電気株式会社機能エレクトロニクス研究所
-
西田 真一
Necカラー液晶事業部
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