完全自己整合型a-Si : H TFTを用いた33cm対角高精細TFT-LCD
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概要
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完全自己整合型a-Si : H TFTを用いた33cm対角高精細TFT-LCDを開発した。a-Si : H層の薄膜化によるTFTの光OFF電流低減技術により、100 : 1の高コントラストを達成した。さらに、TFTの完全自己整合技術によるゲート-ソース電極間寄生容量の低減・均一化により、中間調表示でも分割露光境界線の全く見えない高品位画像を実現した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1995-02-17
著者
-
金子 節夫
Nec
-
金子 節夫
Nec 機能デバイス研究所
-
金子 節夫
Nec機能エレクトロニクス研究所
-
平野 直人
Nec
-
池田 直康
NEC
-
山口 弘高
NEC
-
平井 良彦
NEC
-
平野 直人
NEC機能エレクトロニクス研究所ディスプレイ・デバイス研究部
-
池田 直康
NEC機能エレクトロニクス研究所ディスプレイ・デバイス研究部
-
山口 弘高
NEC鹿児島
-
西田 真一
NEC機能エレクトロニクス研究所ディスプレイ・デバイス研究部
-
平井 良彦
NECカラー液晶事業部
-
西田 真一
Necカラー液晶事業部
-
池田 直康
Nec機能エレクトロニクス研究所
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