Gd Fe組成変調多層膜のスピンフロップ現象 : 光磁気記録関連 : 画像情報記録
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概要
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高周波スパッタ法で、スパッタ中に基板バイアス電圧を変調することによりGdFe組成変調多層膜を作成した。作成した全ての膜でスピンフロップ現象が観測されたが、積層周期Aが200Å以下と400Å以上で磁化反転の機構に違いがみられた。磁化の向きが連続的に変化していく磁壁のモデルを用いて磁化曲線の計算を行なった。交換スティッフネス定数Aが6.5×10^<-7>erg/cmのとき、Aが600Å以上で磁化曲線は実験結果と良く一致した。Aが200Å以下では実験値と計算値は大きく異なり、別のモデルを考える必要がある。
- 1993-03-28
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