巨大磁気抵抗効果を用いた並列型磁気ランダムアクセスメモリの試作
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
巨大磁気抵抗(GMR)金属膜を用いた並列型磁気ランダムアクセスメモリの1ビット素子の試作を行った。GMR素子の上下に十文字上に配置されたリード線構成においてGMRが観測されることを示した。GMRの大きさは加工前の薄膜の場合よりも減少した。リード線の抵抗や、積層界面の接触抵抗、リード線の重なりによるシャント効果などのためと推測される。微小サイズ素子においてGMRを有効に利用するためにはシャント効果を抑制し、GMR素子内をGMR膜と平行に電流が流れるようオフセットした絶縁層の形成が必要である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-24
著者
関連論文
- 金属人工格子のGMRと界面構造
- Fe-SiO_2グラニュラー膜におけるトンネル磁気抵抗効果のバイアス電圧依存性
- Fe_yCo_-SiO_2グラニュラー膜のトンネルGMR効果
- CoFe-SiO_2グラニュラー膜の磁気トンネル効果
- Fe-SiO_2グラニュラー膜のスピン依存トンネル効果とホール効果
- 減衰特性を有する磁性バネ及び該磁性バネを有する振動機構
- MnPt反強磁性膜の基礎的研究
- Co-CoO反応性スパッタ膜の磁気特性および組成変調膜の研究
- TbCoスパッタ膜の磁気特性と光磁気特性の安定性および磁気特性制御
- バブル磁区の状態推移に関する実験
- 25p-N-11 Co/Cu人工格子における磁気特性および磁気抵抗効果の作成条件依存性
- 30a-PS-12 Cu/Co人工格子の磁気抵抗効果に及ぼす基板バイアス電圧効果
- Gd Fe組成変調多層膜のスピンフロップ現象 : 光磁気記録関連 : 画像情報記録
- Au/Fe人工格子のCEMS
- Fe/Au人工格子垂直磁化膜の巨大磁気抵抗効果と磁気的構造
- 巨大磁気抵抗効果を用いた並列型磁気ランダムアクセスメモリの試作
- 微細加工サンドイッチ素子の巨大磁気抵抗効果
- NiFe/Co/Cu/Coサンドイッチ膜の電流磁気効果
- 3)アモルファスGd-Fe膜の異常ヒステリシス曲線と微細磁区観察(録画研究会(第24回)
- Au/Co人工格子垂直磁化膜の磁気光学効果及び電流磁気効果 : 画像情報記録
- Au/Co人工格子垂直磁化膜の磁気光学効果及び電流磁気効果
- 透過電子顕微鏡を用いたCo/Pd人工格子の格子歪測定 : 画像情報記録
- 透過電子顕微鏡を用いたCo/Pd人工格子の格子歪測定
- 29p-J-1 シャドーマスク蒸着法による微小構造磁性体の作製
- 非晶質TbCoスパッタ膜の磁気特性と膜構造