TFT-LCDにおける真性寄生容量の効果 : TFT-LCDの高精度シミュレーション技術 : 非発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
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概要
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アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-SiTFT)を用いた液晶ディスプレイにおいて、画質に影響を及ぼす主原因であるゲート電圧立ち下がり時のソース電圧の変動(フィードスルー電圧)を精度良く解析できるシミュレーション技術を確立した。特徴は次の2点である。(1)真性容量を考慮したa-SiTFTモデルを導入した。(2)RC遅延回路を用いた1画素解析からTFTマトリクス網を用いたマトリクス解析に拡張した。本シミュレーション技術によリ得られたフィードスルー電圧は、実測値と10%以内の精度で一致した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1993-02-19
著者
-
津村 誠
(株)日立製作所日立研究所
-
大井田 淳
(株)日立製作所電子デバイス事業部
-
太田 益幸
(株)日立製作所日立研究所
-
大和田 淳一
(株)日立製作所電子デバイス事業部
-
津村 誠
日立
-
大和田 淳一
(株)日立製作所日立研究所
-
津村 誠
株)日立製作所 日立研究所
-
津村 誠
株式会社日立製作所
-
津村 誠
日立製作所日立研究所
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