液晶セルの透過率変動測定による残像現象解析
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概要
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各画素に薄膜トランジスタ(TFT)を備え液晶セルをアクティブマトリクス駆動する液晶ディスプレイ(TFT-LCD)の残像現象を,液晶セルへの直流電圧印加による透過率の時間変化としてモデル化した.液晶の電気光学特性を利用して,残像現象の原因である残留直流電圧の時間変化から透過率の時間変化を求める方法を提案した.本方法により残留直流電圧の時間変化の測定結果から計算した透過率の時間変化は,透過率の時間変化を直接測定した結果と定量的に一致した.従って,本方法は液晶セルにおける残像現象の解析に有効である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-25
著者
-
津村 誠
(株)日立製作所日立研究所
-
鈴木 雅彦
日立製作所電子デバイス事業部
-
鈴木 雅彦
(株)日立製作所茂原工場
-
長江 慶治
(株)日立製作所日立研究所
-
津村 誠
日立
-
津村 誠
株)日立製作所 日立研究所
-
津村 誠
株式会社日立製作所
-
津村 誠
日立製作所日立研究所
-
佐々木 亨
(株)日立製作所日立研究所画像エレクトロニクス部
-
岩田 敏郎
(株)日立製作所電子デバイス事業部TFTディスプレイ製造部
-
佐々木 亨
日立製作所日立研究所
-
岩田 敏郎
日立製作所電子デバイス事業部
-
長江 慶治
日立製作所日立研究所
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