TFT-LCDの高精度シミュレーション技術
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概要
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アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-SiTFT)を用いたアクティブマトリクス形液晶ディスプレイ(TFT-LCD)において,TFT-LCDの画質を劣化させる主原因であるTFTのゲート電圧立下げ時に起こるソース電圧の変動(フィードスルー電圧)を精度良く解析し,TFT-LCDの画質を正確に予測できる高精度のTFT-LCDシミュレーション技術を確立した.特徴は次の2点である.(1)フィードスルー電圧のドレーン電圧依存性を引き起こす真性容量を考慮したa-SiTFTモデルを構築した.(2)TFT-LCDの各画素の位置によるフィードスルー電圧の変動を引き起こすゲート電圧波形ひずみの解析方法を,RC遅延回路を用いた解析からTFTマトリクス網を用いたマトリクス解析に拡張した.本シミュレーション技術により得られたフィードスルー電圧は,実測値と10%以内の精度で一致した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-25
著者
-
津村 誠
(株)日立製作所日立研究所
-
大井田 淳
(株)日立製作所電子デバイス事業部
-
太田 益幸
(株)日立製作所日立研究所
-
大和田 淳一
(株)日立製作所電子デバイス事業部
-
津村 誠
日立
-
大和田 淳一
(株)日立製作所日立研究所
-
津村 誠
株)日立製作所 日立研究所
-
津村 誠
株式会社日立製作所
-
津村 誠
日立製作所日立研究所
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