薄型化チップの高強度化(SiP応力解析技術, <特集>先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文)
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概要
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高度情報ネットワークを支える情報通信端末が次々と携帯機器化されるにつれ, 情報端末の小型化, 軽量化への要求が高まってきている. この実現には, 半導体の小型軽量化が不可欠であり, チップの薄型化と高強度化が重要な技術となる. チップの薄型加工, 及び個片化にはダイヤモンド砥石を用いた機械加工が用いられてきた. しかし, 50〜200μm厚の薄型化をターゲットとした場合には, この機械加工による残留ダメージがチップの抗折強度低下の要因となるため, このダメージの除去を実現するプロセスの構築が必要になる. チップに残留するダメージと抗折強度の関係を調査し, 裏面チッピング, 研削条痕, 切削条痕の順にダメージ除去することにした. これを実現するプロセスとして, RIE-DBG+CMPのプロセスを導き出し, チップの平均抗折強度が253MPaから1312MPaまで大幅に向上した.
- 2005-11-01
著者
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清水 紀子
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体組立要素技術部組立プロセス技術
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原田 享
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体組立要素技術部組立プロセス技術
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田久 真也
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体組立要素技術部組立プロセス技術
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黒澤 哲也
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体組立要素技術部組立プロセス技術
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田久 真也
(株)東芝セミコンダクター社
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黒澤 哲也
(株)東芝セミコンダクター社
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清水 紀子
(株)東芝セミコンダクター社
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原田 享
(株)東芝セミコンダクター社
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