SiC/Ti接合界面の構造と強度
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概要
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The solid state bonding of pressureless-sintered SiC to SiC using 20 μm Ti foil was conducted at bonding temperatures ranging form 1373 to 1673 K for 0.3 to 72 ks in vacuum. For a constant bonding time of 3.6 ks, the granular TiC next to Ti and a mixture of Ti_5Si_3C_x+TiC phases next to SiC were formed. Increasing the bonding temperature in 100 K intervals from 1473 K to 1773 K, the Ti_5Si_3C_x single phase, Ti_3SiC_2 phase and TiSi_2 phase sequentially appeared. Fracture shear testing was used to measure bonding strength. The bonding strength was found to increase up to a maximum of 153 MPa at 1473 K. At higher temperatures it decreases to 54 MPa at 1573 K. At still higher temperatures bonding strengh again increases. The highest strengh of 250 MPa was measured at 1773 K. This variation of bonding strength with bonding temperature will be correlated with the microstructure observed at the interfase of the joints. The SiC/Ti joint with a duplex phase of Ti_3SiC_2+TiSi_2 shows the stable strength up to testing temperature 973 K.
- 社団法人溶接学会の論文
- 1996-05-05
著者
-
奈賀 正明
大阪大学 接合科学研究所
-
Schuster J
Univ. Vienna Vienna Aut
-
馮 吉才
ハルピン工大
-
馮 吉才
大阪大学接合科学研究所
-
SCHUSTER Julius
ウィーン大学
-
Schuster J.
ウィーン大学物理化研究所
-
馮 吉才
大阪大学大学院
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