Pb_nBi_4Ti_<n+3>O_<3n+12>セラミックスの電気的・機械的特性
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概要
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著者らは、DCバイアスによる静電容量の変化が少なく、高い絶縁性を示すBi層状構造化合物を高圧コンデシサ材料として応用することを目的に、同化合物の誘電性の向上の検討を行っている。本研究では、Bi_4Ti_3O_<12>(以下BITと略す)にn(mol)のPbTiO_3を加えたPb_nBi_4Ti_<n+3>O_<3n+12>(以下P_nBTと略す)(n=0,1,2,3,4)のセラミック試料を作製し、電気的および機械的特性について調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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