粒子配向Pb_4Bi_4Ti_7O_<24>セラミックスの誘電特性
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概要
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筆者らは,直流バイアスによる静電気容量の変化が少なく,高い絶縁性を示すBi層状構造化合物を高圧コンデンサ用誘電材料として応用することを目的に,同化合物の誘電性,絶縁性などの向上の検討を行なっている.そしてこれまでに,Pb_4Bi_4Ti_7O_<24>(以下P_4BTと略す)セラミックの室温での比誘電率ε_Sが約1050であること,粒子配向化がコンデンサ用セラミックスの特性向上に有効であることなどを報告した.ここでは,ホット・フォージング法により作製した粒子配向P_4BTセラミックスの誘電特性,絶縁破壊強度Ebについて調べた結果を報告する.
- 1995-09-05