SrBi_2Ta_2O_9セラミックスの作製とその特性
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概要
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SrBi_2Ta_2O_9 (以下SBTaと略す)薄膜を強誘電体キャパシタとして用いた不揮発性メモリの検討が盛んに行われているが, この組成のバルク試料の作製法および特性についての報告は見当たらない。本研究では, SBTaセラミックスの作製方法とその基本的な特性について調べた結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
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坂田 好一郎
東京理科大学理工学部
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荘司 和男
足利工業大学電気電子工学科
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坂田 好一郎
東京理科大学理工学部電気工学科
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荘司 和男
足利工業大学
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荘司 和男
足利工業大学工学部電気電子工学科
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荘司 和男
電気電子工学科
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相川 瑞佳
足利工業大学
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上原 康男
足利工業大学
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