ZnSe薄膜への塩素による不純物添加
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概要
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II-VI族化合物半導体であるZnSeの不純物添加の方法としてはII族のZn側、あるいはVI族のSe側での置換が考えられる。著者らは、Se側での不純物添加の試みとしてn型ドーパントであるVII族の塩素を用いた。また、塩素は流量に対してキャリア密度が比例することが報告されている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
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