C-6-6 バッファー層を入れた ZnSe 薄膜における成長層の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-10
著者
関連論文
- フェライト振動子の鑞付け接合強度の音響振動法による評価
- 煙火星および組成物の燃焼特性
- YBa_2Cu_3O_y超伝導セラミックスの冷間押出による線材の作製
- Y1Ba2Cu3Oyの仮焼条件
- C-6-15 傾斜をつけたGaAs基盤に成長したZnSe薄膜の特性
- 窒素不純物としてアンモニアをドープしたZnSe薄膜の特性
- 温度勾配によるバッファ層を介したZnSE薄膜成長の検討
- セレン化亜鉛のバルク結晶成長法の検討
- ZnSe薄膜への塩素による不純物添加
- MOCVD法により成長したZnSe薄膜の検討
- 電気浸透による液体集束を利用した透過光制御
- 電気浸透マイクロレンズの基礎検討
- 塩素不純物を添加したZnSe薄膜の特性
- 電気浸透マイクロレンズによる透過光制御
- 光CVD法により成長したZnSe薄膜の特性
- ZnSeダイオ-ドの青色発光の検討
- 光CVDによるZnSe薄膜成長
- 熱溶解転写記録方式の検討
- Y1Ba2Cu3OyのHIP焼結
- 電気浸透を利用した透過光制御
- C-6-6 バッファー層を入れた ZnSe 薄膜における成長層の検討
- セレン化亜鉛の光伝導特性
- マイクロコンピュ-タと自動制御
- 半導体中の不純物準位の測定
- 有限要素法によるかご形3相誘導電動機の磁界解析
- 有限要素法によるかご形3相誘導電動機の磁界解析基礎理論
- ディ-ゼル機関の自動起動装置
- SITを用いた3相誘導電動機の速度制御装置
- 活性金属法によるろう付接合フェライト磁気ひずみ振動子とその特性
- SITを用いた同期発電機の界磁電流制御装置