LSI試験波形の品質向上技術
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概要
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LSIの高集積、高速化が進み、CMOSなどの非終端デバイスにおいても、動作速度の向上が図られている。高速化に伴い、デバイスの出力インピーダンスは、数10Ω〜数Ωに低下している。一方、LSIの試験において、テスタ側の伝送線の特性インピーダンスが50Ωであるため、デバイス、伝送線、テスタ間のインピーダンス不整合による多重反射電圧が発生し、この反射電圧により誤判定が生じる。筆者らは、新たに、インピーダンス不整合により発生する多重反射電圧を防止すアクテイブクランプ回路を考案し、バイポーラプロセスを用いて試作した。本報告では、その動作原理と試作結果について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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中條 徳男
(株)日立製作所生産技術研究所
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中條 徳男
(株)日立製作所
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中條 徳男
日立 生産技術研究所
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大崎 昭雄
日立 生産技術研究所
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村田 和彦
日立電子エンジニアリング
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林 良彦
日立 生産技術研究所
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中條 徳男
日立 生産技研
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