シリコン基板中の低密度微小欠陥の電気的評価

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概要

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近年、LSIの微細化は急速に進歩し、シリコン基板内に存在する低密度微小欠陥がLSIの歩留りに影響を与えるようになってきている。例えばDRAM LSIでは微小欠陥による電流リークがあると、メモリセルに蓄積した電荷が失われ、信号保持不良などの問題を生じる。しかしこのような低密度徴小欠陥に対する定量的評価は未だ確立されていないのが現状である。そこで今回、プリチャージ電圧 (VPC)の変化が可能なプレーナ型DRAMを用い、信号保持時間のVpc依存性を評価する(可変Vpc法評価)ことにより、個々の微小欠陥の存在深さ、発生リーク電流の大きさを評価できることが確認されたので報告する。
1994-09-26

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