不等ゲート間隔を用いた高出力MESFETの特性向上
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概要
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高出力MESFETでは大きなDC電力を印加するため、熱抵抗の増加によりチャネル温度を大きく上昇させる。チャネル温度の上昇は、電子移動度を小さくし、出力電力やゲインが小さくなる等のRF特性に影導を与える。従来、高出力FETは、ゲートフィンガとゲートフィンガの間隔(ゲート間隔)を等しくしている為、素子中央に熱が集中し、熱抵抗を高くする原因となっていた。我々は、ゲート間隔を外側から内側にかけて徐々に広くすることによって熱の集中を緩和し、その構造を持つ高出力FETの熱抵抗の低減効果およびRF特性向上の有効性について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
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